eeprom in flash

介绍

本代码实现了简易的flash模拟eeprom功能，只需实现底层的flash操作接口，就可以在顶层调用eeprom接口使用。适合存储eeprom数据量较少的项目使用

原理

将提供给eeprom使用的flash空间分为两个分区，每个分区可包含多个擦除页，擦除时统一擦除。当前使用哪一个分区由开始的USED_MARK决定，实际数据和eeprom虚拟地址共同组成一个编程单元，写入时新数据依次往后写入，读取时以最后一个值为有效值。当一个分区写满时会复制数据到另一个分区。

移植说明

1. 将eeprom_in_flash.c和eeprom_in_flash.h复制到工程
2. 实现EE_ErasePart，EE_ProgramWord，EE_ReadWord底层调用接口，可参考eeprom_port示例
3. 修改eeprom_in_flash.h中的宏定义，配置flash地址大小等相关参数
   • EEPROM_NUM_MAX：eeprom数据的最大数量，单位为16bit数据的个数。可选范围受最小分区大小的限制，要小于(EEPROM_PART_SIZE_min/4-1)
   • EEPROM_PART0_SIZE/EEPROM_PART1_SIZE：两个分区的大小，可以是不同大小，每个分区可包含多个擦除页，为最小擦除页的整数倍
   • EEPROM_START_ADDRESS：用于模拟eeprom的flash起始地址

使用说明

//参数：eeprom初始化值，NULL则无初始值
int EEPROM_Init(void *default_data);
int EEPROM_Format(void *default_data);

//参数Address：eeprom的地址，一个地址保存16bit数据，范围0 - (EEPROM_NUM_MAX-1)
//参数length：读写buf的长度，为16bit数据的个数
uint16_t EEPROM_Read(uint16_t Address);
int EEPROM_Write(uint16_t Address, uint16_t Data);
int EEPROM_Read_Buf(uint16_t Address, uint16_t *buf, uint16_t length);
int EEPROM_Write_Buf(uint16_t Address, uint16_t *buf, uint16_t length);

//参数addr：eeprom存储空间的地址，单位byte，与上面eeprom的参数呈2倍关系，地址空间不可重复，必须2字节对齐，范围0 - (EEPROM_NUM_MAX-1)*2
//参数length：读写buf的长度，单位字节长度，必须2字节对齐
int Config_Read_Buf(uint16_t addr, void *buf, uint16_t length);
int Config_Write_Buf(uint16_t addr, void *buf, uint16_t length);

使用限制

1. 最小编程单元为32bit及以下
2. 至少有两个可擦除页供eeprom使用
3. 储存的eeprom最大数据量小于可用flash空间的四分之一
4. 擦除后的清空值为0xff

特点

1. 资源占有率极低，适合小型单片机项目
2. 支持flash擦除编程 磨损平衡
3. 支持 任意时间安全掉电 ，可靠性高
4. 全部数据在内存缓冲，读写速率快
5. 更新程序不影响储存的内容，可 增量更新 ，也可以选择不使用老数据
6. 支持日志打印接口，方便调试
7. 支持8位单片机
8. 不支持数据正确性校验

注意事项

1. 调用eeprom读写接口要注意地址和长度范围，不要出现不同数据地址范围覆盖的情况
2. flash地址编程接口EE_ProgramWord，若不能32位写入原子操作，则要先写低16位后写高16位