移植出现的部分问题

[JesseGuoX]

• flash_env 在easyflash\port\ef_port.c Line32 出现，但是源码中并没有flash_env的定义，参考demo得知应该为ef_env。
• easyflash\port\ef_port.c中应该增加#include <stdarg.h>防止开了PRINT_DEBUG 编译出错。

[armink]

之前做过一次重构，所以部分细节有些遗漏，多谢反馈哈~

[armink]

@JGINGIT 现在已经移植成功了吗？

[JesseGuoX]

@armink 还没，代码还没仔细研究，理解不了EF_ERASE_MIN_SIZE和ENV_USER_SETTING_SIZE。例如我是W25Q16最小擦除单位是4KB，所以EF_ERASE_MIN_SIZE = （4 * 1024)？

ENV_USER_SETTING_SIZE是用户设置的数据环境变量的空间大小么？

    /* check capacity of ENV  */
    if (env_str_len + get_env_data_size() >= ENV_USER_SETTING_SIZE) {
        return EF_ENV_FULL;
    }

但是又为什么有ENV_AREA_SIZE的定义，用户数据环境变量空间大小又等于ENV_AREA_SIZE - ENV_SYSTEM_SIZE?

[armink]

@JGINGIT

• 1、W25Q16的EF_ERASE_MIN_SIZE = （4 * 1024) 这个是没问题的
• 2、对于ENV_AREA_SIZE与ENV_USER_SETTING_SIZE的区别，点击这里有解释

• 2、由于EasyFlash对所有的环境变量都会使用RAM缓存，但是在更多时候用户使用的环境变量大小会比EF_ERASE_MIN_SIZE小，所以需要再定义ENV_USER_SETTING_SIZE来指定用户设定的环境变量大小。
• 3、环境变量区总容量在不同的模式下会有差异
  • 1、常规模式：没有差异；
  • 2、擦写平衡模式：系统区将会占用1个EF_ERASE_MIN_SIZE大小，数据区至少等使用2个以上Flash扇区；
  • 3、掉电保护模式：环境变量区将会被备份，所以总容量是常规模式的2倍；
  • 4、擦写平衡+掉电保护模式：系统区将会占用1个EF_ERASE_MIN_SIZE大小，数据区将会是擦写平衡模式下的数据区总容量的2倍。

所以，你先看下这里的解释能不能理解？